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一、無塵室須知
1.進入無塵室前，必須知會管理人，并通過基本訓練。
2.進入無塵室嚴禁吸煙，吃(飲)食，外來雜物(如報章，雜志，鉛筆...等)不可攜入，并嚴禁嘻鬧奔跑及團聚談天。
3.進入無塵室前，需在規(guī)定之處所脫鞋，將鞋置于鞋柜內(nèi)，外衣置于衣柜內(nèi)，私人物品置于私人柜內(nèi)，柜內(nèi)不可放置食物。
4.進入無塵室須先在更衣室，將口罩，無塵帽，無塵衣以及鞋套按規(guī)定依程序穿戴整齊，再經(jīng)空氣洗塵室洗塵，并踩踏除塵地毯(洗塵室地板上)方得進入。
5.戴口罩時，應將口罩戴在鼻子之上，以將口鼻孔蓋住為原則，以免呼吸時污染芯片。
6.穿著無塵衣，無塵帽前應先整理服裝以及頭發(fā)，以免著上無塵衣后，不得整理又感不適。
7.整肅儀容后，先戴無塵帽，無塵帽的穿戴原則系:
(1)頭發(fā)必須完全覆蓋在帽內(nèi)，不得外露。
(2)無塵帽之下擺要平散于兩肩之上，穿上工作衣后，方不致下擺脫出，裸露肩頸部。
8.無塵帽戴妥后，再著無塵衣，無塵衣應尺吋合宜，才不致有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時應注意帽之下擺應保平整之狀態(tài)，無塵衣不可反穿。
9.穿著無塵衣后，才著鞋套，拉上鞋套并將鞋套整平，確實蓋在褲管之上。
10.戴手套時應避免以光手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子污染)，戴上手套后，應將手套之手腕置于衣袖內(nèi)，以隔絕污染源。
11.無塵衣著妥后，經(jīng)洗塵，并踩踏除塵毯，方得進入無塵室。
12.不論進入或離開無塵室，須按規(guī)定在更衣室脫無塵衣，不可在其它區(qū)域為之，尤不可在無塵室內(nèi)邊走邊脫。
13.無塵衣，鞋套等，應定期清洗，有破損，脫線時，應即換新。
14.脫下無塵衣時，其順序與穿著時相反。
15.脫下之無塵衣應吊好，并放于更衣室內(nèi)上層柜子中;鞋套應放置于吊好的無塵衣下方。
16.更衣室內(nèi)小柜中，除了放置無塵衣等規(guī)定物品外，不得放置其它物品。
17.除規(guī)定紙張及物品外，其它物品一概不得攜入無塵室。
18.無塵衣等不得攜出無塵室，用畢放置于規(guī)定處所。
19.口罩與手套可視狀況自行保管或重復使用。
20.任何東西進入無塵室，必須用灑精擦拭干凈。
21.任何設(shè)備的進入，請知會管理人，在無塵室外擦拭干凈，方可進入。
22.未通過考核之儀器，禁止使用，若遇緊急情況，得依緊急處理步驟作適當處理，例如關(guān)閉水、電、氣體等開關(guān)。
23.無塵室內(nèi)絕對不可動火，以免發(fā)生意外。
二、無塵室操作須知
1.處理芯片時，必須戴上無纖維手套，使用清洗過的干凈鑷子挾持芯片，請勿以手指或其它任何東西接觸芯片，遭碰觸污染過的芯片須經(jīng)清洗，方得繼續(xù)使用：
(1)任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用紙巾或布擦拭臟鑷子。
(2)芯片清洗后進行下一程序前，若被手指碰觸過，必須重新清洗。
(3)把芯片放置于石英舟上，準備進爐管時，若發(fā)現(xiàn)所用鑷子有污損現(xiàn)象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的污染，必須將芯片重新清洗，并立即更換干凈的鑷子使用。
2.芯片必須放置盒中，蓋起來存放于規(guī)定位置，盡可能不讓它暴露。
3.避免在芯片上談話，以防止唾液濺于芯片上，在芯片進擴散爐前，請?zhí)貏e注意，防止上述動作產(chǎn)生，若芯片上沾有纖維屑時，用氮氣槍噴之。
4.從鐵弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(Quartz Boat)等載具(Carrier)上，取出芯片時，必須垂直向上挾起，避免刮傷芯片，顯微鏡鏡頭確已離芯片，方可從吸座上移走芯片。
5.芯片上，若已長上氧化層，在送黃光室前切勿用鉆石刀在芯片上刻記。
6.操作時，不論是否戴上手套，手絕不能放進清洗水槽。
7.使用化學站或烤箱處理芯片時，務必將芯片置放于鐵弗龍晶舟內(nèi)，不可使用塑料盒。
8.擺置芯片于石英舟時，若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片，然后再進氧化爐。
9.請勿觸摸芯片盒內(nèi)部，如被碰觸或有碎芯片污染，必須重作清洗。
10. 手套，廢紙及其它雜碎東西，請勿留置于操作臺，手套若燒焦、磨破或纖維質(zhì)變多必須換新。
11.非經(jīng)指示，絕不可開啟不熟悉的儀器及各種開關(guān)閥控制鈕或把手。
12.奇怪的味道或反應異常的溶液，顏色，聲響等請即通知相關(guān)人員。
13.儀器因操作錯誤而有任何損壞時，務必立刻告知負責人員或老師。
14.芯片盒進出無塵室須保持干凈，并以保鮮膜封裝，違者不得進入。
15.無塵室內(nèi)一律使用原子筆及無塵筆記本做記錄，一般紙張與鉛筆不得攜入。
三、黃光區(qū)操作須知
1.濕度及溫度會影響對準工作，在黃光區(qū)應注意溫度及濕度，并應減少對準機附近的人，以減少濕、溫度的變化。
2.上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得攜出黃光區(qū)以免感光。
3.己上妥光阻，而在等待對準曝光之芯片，應放置于不透明之藍黑色晶盒之內(nèi)， 盒蓋必須蓋妥。
4.光罩使用時應持取邊緣，不得觸及光罩面，任何狀況之下，光罩鉻膜不得與他物接觸，以防刮傷，光罩之落塵可以氮氣槍吹之。
5.曝光時，應避免用眼睛直視曝光機汞燈。
四、鑷子使用須知
1.進入實驗室后，應先戴上手套后，再取鑷子，以免沾污。
2.唯有使用干凈的鑷子，才可持取芯片，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭污染，必須拿去清洗，方可再使用。
3.鑷子使用后，應放于各站規(guī)定處，不可任意放置，如有特殊制程用鑷子，使用后應自行保管，不可和實驗室內(nèi)各站之鑷子混合使用。
4.持鑷子應采"握筆式"姿勢挾取芯片。
5.挾取芯片時，順序應由后向前挾取，放回芯片時，則由前向后放回，以免刮傷芯片表面。
6.挾取芯片時，"短邊" (鋸狀頭)置于芯片正面，"長邊" (平頭)置于芯片背面，挾芯片空白部分，不可傷及芯片。
7.嚴禁將鑷子接觸酸槽或D.I Water水槽中。
8.鑷子僅可做為挾取芯片用，不準做其它用途。
五、化學藥品使用須知
1.化學藥品的進出須登記，并知會管理人，并附上物質(zhì)安全資料表（MSDS）于實驗室門口。
2.使用化學藥品前，請詳讀物質(zhì)安全資料表(MSDS)，并告知管理人。
3.換酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸長袖手套，頭戴護鏡，腳著塑料防酸鞋，始可進行換酸工作。
4.不得任意打開酸瓶的蓋子，使用后立即鎖緊蓋子。
5.稀釋酸液時，千萬記得加酸于水，絕不可加水于酸。
6.勿嘗任何化學藥品或以嗅覺來確定容器內(nèi)之藥品。
7.不明容器內(nèi)為何種藥品時，切勿搖動或倒置該容器。
8.所有化學藥品之作業(yè)均須在通風良好或排氣之處為之。
9.操作各項酸液時須詳讀各操作規(guī)范。
10.酸類可與堿類共同存于有抽風設(shè)備的儲柜，但絕不可與有機溶劑存放在一起。
11.廢酸請放入廢酸桶，不可任意傾倒，更不可與有機溶液混合。
12.廢棄有機溶液置放入有機廢液桶內(nèi)，不可任意傾倒或倒入廢酸桶內(nèi)。
13.勿任意更換容器內(nèi)溶液。
14.欲自行攜入之溶液請事先告知經(jīng)許可后方可攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險性時，必須經(jīng)評估后方可攜入，并請于容器上清楚標明容器內(nèi)容物及保存期限。
15.廢液處理：廢液分酸、堿、氫氟酸、有機、等，分開處理并登記，回收桶標示清楚，廢液桶內(nèi)含氫氟酸等酸堿，絕對不可用手觸碰。
16.漏水或漏酸處理：漏水或漏酸時，為確保安全，絕對不可用手觸碰，先將電源總開關(guān)與相關(guān)閥門關(guān)閉，再以無塵布或酸堿吸附器處理之，并報備管理人。
六、化學工作站操作
1.操作時須依規(guī)定，戴上橡皮手套及口罩。
2.不可將塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3.添加任何溶液前，務必事先確認容器內(nèi)溶劑方可添加。
4.在化學工作站工作時應養(yǎng)成良好工作姿勢，上身應避免前傾至化學槽及清洗槽之上方，一方面可防止危險發(fā)生，另一方面亦減少污染機會。
5.化學站不操作時，有蓋者應隨時將蓋蓋妥，清洗水槽之水開關(guān)關(guān)上。
6.化學藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時，應即用水沖洗濺傷部位15分鐘以 上，且必須皮膚顏色恢復正常為止，并立刻安排急救處理。
7.化學品外泄時應迅速反應，并做適當處理，若有需要撤離時應依指示撤離。
8.各化學工作站上使用之橡皮手套，避免觸碰各機臺及工作臺，及其它器具等物，一般操作請戴無塵手套。
七、RCA Method
1.DI Water 5min
2.H2SO4:H2O2=3:1 煮10~20min 75~85℃，去金屬、有機、油
3.DI Water 5min
4.HF:H2O 10~30sec，去自然氧化層(Native Oxide)
5.DI Water 5min
6.NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5 煮10~20min 75~85℃，去金屬有機
7.DI Water 5min
8.HCl:H2O2:H2O=1:1:6 煮10~20min 75~85 ℃ 去離子
9.DI Water 5min
10.Spin Dry
八、清洗注意事項
1.有水則先倒水﹐H2O2最后倒﹐數(shù)字比為體積比。
2.有機與酸堿絕對不可混合﹐操作平臺也務必分開使用。
3.酸堿溶液等冷卻后倒入回收槽﹐并以DI Water沖玻璃杯5 min。
4.酸堿空瓶以水清洗后﹐并依塑料瓶﹐玻璃瓶分開置于室外回收筒。
5.氫氟酸會腐蝕骨頭﹐若碰到立即用葡萄酸鈣加水涂抹，再用清水沖洗干凈，并就醫(yī)。碰到其它酸堿則立即以DI Water大量沖洗。
6.清洗后之Wafer盡量放在DI Water中避免污染。
7.簡易清洗步驟為1-2-9-10；清洗SiO2步驟為1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8.去除正光阻步驟為1-2-10，或浸入ACE中以超音波振蕩。
9.每個玻璃杯或槽都有特定要裝的溶液﹐蝕刻、清洗、電鍍、有機絕不能混合。
10.廢液回收分酸、堿、氫氟酸、電鍍、有機五種，分開回收并記錄，傾倒前先檢查廢棄物兼容性表，確定無誤再傾
